东微 SGT MOS

相比较于传统Trench型工艺,SGT工艺制造所需的晶圆更小.内阻更低。再给客户节省成本的同时，还大幅的降低整体导通的损耗即而实现更小的发热。

SFG130N10KF

VDS:100V  ID:130A  RDS(on)@VGS=10V:5MΩ 封装：TO-263

SFG170N10KF

VDS:100V  ID:170A  RDS(on)@VGS=10V:3MΩ 封装：TO-263

SFG180N10KF

VDS:100V  ID:180A  RDS(on)@VGS=10V:2.5MΩ 封装：TO-263